东京大学生产技术研究所教授藤冈洋的研究室开发出了在玻璃基板上用溅射法形成GaN基LED的技术。相关论文已发表在学术杂志。《ScientificReports》上。除了与现有LED相比可大幅降低制造成本之外，新技术还有可能实现用无机LED制作有机EL那样的大面积发光元件。

　　藤冈教授的研究室在约2英寸（直径约5cm）的玻璃基板上转印了石墨烯多层膜，然后在石墨烯多层膜上用脉冲溅射法分别形成了AlN、n型GaN、由GaN与InGaN的多层构造构成的量子阱、p型GaN晶体。

　　藤冈表示，很早以前就开始开发利用溅射法制作LED的技术，“还没有发布过这些技术的详细内容，只是在累积经验”。

　　另外，藤冈研究室还在2008年开发出了在石墨片材上用“脉冲激励沉积法（PXD）”形成GaN晶体的技术。

　　此次在可称得上是最薄石墨片材的石墨烯片材上用溅射法形成了GaN晶体，并确认可实际发光。据介绍，分别制作了以红色（R）、绿色（G）、蓝色（B）三原色发光的LED。

　　目前还无法检测白色发光的发光效率，以及单色状态下的外部量子效率，正在对极低温条件下的内部量子效率进行评估。藤冈教授表示，“与蓝宝石基板上制作的LED相比，内部量子效率要低好几成”。今后的课题是如何将内部量子效率提高至与现有LED相当的水平。