应变速率对SiC拉伸行为影响的分子动力学模拟

采用分子动力学方法对SiC单晶应变率敏感性及其失效机理进行了研究。模拟了室温下不同应变速率对立方SiC单晶[001]方向的拉伸行为的影响。当应变速率在0.01～10 ps–1时，拉伸强度随应变速率的提高而增加。拉伸过程中SiC晶体发生非晶转变导致强度提高。当应变率低于0.01 ps–1时，晶体在(1... [查看原文]

一种甲苯磺酸盐核磁共振谱峰归属与晶体制备

通过两步有机反应制备出4-N, N-二甲胺基-4’-N’-甲基-氮杂茋的对甲苯磺酸盐(DAST)粉体，并利用重结晶法进行提纯。通过DAST的二维核磁共振(2D NMR)中同核相关谱(correlated spectroscopy, COSY)、异核单量子相干谱(heteronuclear singl... [查看原文]

新型金黄色富硅氮化硅阳光控制膜的制备及性能

采用磁控溅射方法，以纯Si作为靶材，Ar和N2为溅射气体在3 300 mm宽幅的玻璃基片上制备出大面积均匀的金黄色阳光控制膜。利用X射线衍射、X射线光电子能谱和椭偏仪对不同工艺参数下薄膜的结构、组成和光学参数进行了表征。结果表明：金黄色阳光控制膜的主要成分为富硅氮化硅相；溅射功率和溅射气体通过影响薄... [查看原文]

钨钼复合热屏对泡生法生长蓝宝石晶体质量的影响

热场结构决定了晶体生长的热量、质量传输条件和晶体生长环境。利用专业晶体生长模拟软件CGSim，用数值模拟技术分析了晶体的温度场和应力场，研究了全钼热屏和钨钼复合热屏热场结构对蓝宝石晶体生长的影响。结果表明：钨钼复合热屏能够提供均匀的温度场，降低了晶体内部轴向和径向温度梯度以及晶体表面温度梯度，减小晶... [查看原文]

水平梯度冷凝法生长优质ZnGeP2单晶与性能表征

用自制的双温区机械震荡管式炉合成了ZnGeP2多晶，单次合成量超过500 g。采用水平梯度冷凝法生长了质量为350~395 g的ZnGeP2单晶，单晶最大尺寸为25 mm×32 mm×165 mm。通过X射线粉末衍射、摇摆曲线以及红外透射光谱等研究了合成的多晶和生长的单晶品质。结果表明：晶体(100... [查看原文]